Анализ тестовых микрополосовых линий на TDR характеристики в ANSYS SIwave
Введение в ANSYS SIWave. Уровень – начальный. Показывается применение программы ЭМ моделирования ANSYS SIWave на 4х тестовых примерах (модели микрополосковой линии) для получения их TDR-характеристик при анализе в частотной области. Дается первичное знакомство с пакетом ANSYS SIwave. Рассматривается работа со стеком слоев, подстэком межслойных отверстий (т.н. VIA-переходов). Показана работа с графическим редактором (рисование моделей сигнальных линий, полигонов земли/питания). Назначение СВЧ-портов. Настройки моделирования в частотной области для получения SYZ-параметров и FWS-модели цепи (*.sp – файл в формате HSPICE). После результатам ЭМ моделирования, передаются Sii-параметры в утилиту SIWave Reporter и получаются TDR-характеристики. Дано сравнение двух типов задания на ЭМ расчет в частотной области (с верхней частотой анализа равной или меньшей частоте отсечки Fknee). Анализ результатов и оценка влияния неоднородностей (скачков импеданса, наличия неоднородностей в виде VIA-перехода … ) на характер TDR-параметра. Продолжительность: 55 мин. Андрей Геттих